Samsung ha avviato la produzione dei nuovi storage veloci per smartphone. Ecco tutti i dettagli sulle prestazioni che raggiungeranno.

Samsung ha ufficializzato tramite un annuncio l’avvio della produzione di memorie eUFS 3.1 da 512GB. La produzione su larga scala è iniziata e le nuove memorie saranno utilizzate all’interno degli smartphone di fascia alta attualmente presenti in commercio.

Samsung ha previsto inoltre la produzione e successiva disponibilità di memorie di tagli inferiori, da 128 e 256GB.

Le memorie in questione offriranno un importante upgrade ai dispositivi e rappresenteranno un notevole passo avanti rispetto alle precedenti eUFS 3.0 già disponibili sul mercato. Analizzando anche un solo dato è possibile comprendere l’effettivo potenziamento rispetto al precedente modello. Le nuove memorie eUFS 3.1 garantiranno una scrittura di dati di 3 volte più veloce. Questo potenziamento sarà particolarmente adatto per gli smartphone di ultima generazione, quelli che saranno in grado di supportare video in risoluzione a 8K.

Samsung ha inoltre fornito ulteriori dettagli, nello specifico riguardanti la scrittura sequenziale di dati, in grado di raggiungere un picco di 1200MB/s, un dato decisamente inimmaginabile fino a poco tempo fa. Anche il dato di scrittura random, che supera il 60% è decisamente migliore rispetto a quello relativo ai moduli eUFS 3.0, utilizzati negli smartphone di fascia alta.

Il dato che rimarrà invariato è quello relativo alla velocità di lettura dei dati (2100 MB/s). Per far comprendere al meglio i vantaggi in termini di velocità data da questa innovazione Samsung ha fornito un esempio pratico. Allo stato attuale con eUFS 3.0 il trasferimento di 100GB avviene in circa 4 minuti. Grazie all’impiego delle nuove memorie eUFS 3.1 tale trasferimento potrà avvenire in 90 secondi.